Der diesj?hrige 365足彩投注_365体育投注@ der Deutschen Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung (DGKK)- Sektion Epitaxy von III/V Verbindungshalbleitern findet am 6. und 7. Dezember an der Universit?t in Paderborn (Geb?ude O) statt.
Der 365足彩投注_365体育投注@ dient dem Austausch von Knowhow zu den Themen MOCVD und MBE von III/V-Halbleitern. Weitere Themen sind u. a. Nanostructures and Quantum Dots, Semiconductor Surfaces, Heteroepitaxy, Light Emitters, New Epitaxial Tasks, Nitrides, Arsenides, Phosphides und Antimonides.
Die Organisatoren, die Arbeitsgruppen Optoelectronics Materials & Devices und Nanophotonics & Nanomaterials des Departments Physik, setzen damit die erfolgreiche 365足彩投注_365体育投注@-Reihe der letzten Jahre fort. Neben den wissenschaftlichen Beitr?gen gibt es eine Firmenausstellung, auf der Firmen ihre Produkte und Dienstleistungen vorstellen.
Tr?ger der Veranstaltung ist die Deutsche Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung (DGKK), die seit 40 Jahren die Forschung, Lehre und Technologie auf den Gebieten Kristallwachstum, Kristallzüchtung und Epitaxie f?rdert. Ihre Mitglieder sind Wissenschaftler, die in Hochschulen, Forschungsinstituten und in der Industrie an der Herstellung von "Kristallen" arbeiten.
Weitere Informationen zu dem 365足彩投注_365体育投注@: www.upb.de/veranstaltungen/dgkk2018
Kontakt: dgkk2018(at)uni-paderborn(dot)de
